L’Highlander de la mémoire
L’oxyde d’hafnium pourrait servir à créer de la mémoire non volatile qui viendrait remplacer à la fois la SRAM (mémoire cache), la DRAM (mémoire vive) et la NAND (stockage SSD). C’est en tout cas la piste explorée activement par deux sociétés allemandes, qui veulent au passage relocaliser la production en Allemagne.
Au début du mois, deux sociétés allemandes, Neumonda et Ferroelectric Memory Company (FMC), ont annoncé collaborer pour développer, produire et commercialiser de la DRAM non volatile. Le but ? « Rien de moins que ramener la conception et la fabrication de mémoires semi-conducteurs en Allemagne », explique le communiqué.
La DRAM, késako ?
DRAM signifie, pour rappel, Dynamic Random-Access Memory ou mémoire dynamique à accès aléatoire. Vous la connaissez très certainement puisqu’elle est au cœur de la mémoire vive dans les ordinateurs. La mémoire EDO (pour les plus anciens), SDRAM et les différentes générations de DDR SDRAM sont des types de DRAM.
Elle a l’avantage d’être rapide, de proposer une densité élevée, d’être relativement abordable avec une faible consommation énergétique. Problème, la mémoire s’efface lorsque la machine est éteinte. Raison d’ailleurs pour laquelle nous parlons de mémoire volatile.
